|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ЛАЗЕР С ПОЛЕВЫМ УПРАВЛЕНИЕМ |  |
Номер публикации патента: 1393291 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01S003/19 | | Аналоги изобретения: | 1. Кейси Х., Паниш М., Лазеры на гетероструктурах, М.: Мир, 1984. 2. D.Wilt et all, JEEE J.Quant Electron, QE-16, 1980, p.390. |
| Имя заявителя: | | | Изобретатели: | Артамонов М.М.
Полторацкий Э.А.
Ильичев Э.А.
Инкин В.Н.
Алавердян С.А.
Шелюхин |
Реферат | |
Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано в качестве передающего модуля в системах ВОЛС, а также в качестве базовой излучающей ячейки в оптоэлектронных ИС. Изобретение обеспечивает улучшение теплоотвода лазера и повышение степени интеграции схем на этих лазерах. Лазер содержит полуизолирующую подложку 1 арсенида галлия, по одну сторону которой расположены слои, образующие двойную гетероструктуру; например, слой 2 n-GaAlAs, имеющий общую границу с подложкой, слой 3 p-GaAs, являющийся активным слоем излучающей части лазера, и слой 4 рAlGaAs, поверх которого расположен сильно легированный слой 5 р+-СаАs и контакт 6 к нему. По другую сторону подложки 1 расположен слой 7 n-GaAs с контактами стока 8, истока 9 и электродом затвора 10. В слое 7 выполнена сильнолегированная область 11 GaAs n+-типа проводимости, гальванически связанная с сильнолегированной областью 12 подложки. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента