RU 2320051 C1, 20.03.2008. RU 2007134110 A, 20.03.2009. JP 2004006752 A, 08.01.2004. JP 2004012156 A, 15.01.2004. US 7564237 B2, 21.07.2009. KR 20090076099 A, 13.07.2009.
Имя заявителя:
Федеральное государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники" (RU)
Изобретатели:
Абанин Иван Евгеньевич (RU) Амеличев Владимир Викторович (RU) Аравин Владислав Викторович (RU) Касаткин Сергей Иванович (RU) Резнев Алексей Алексеевич (RU) Решетников Иван Александрович (RU) Сауров Александр Николаевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники" (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии микро- и наноэлектроники и может быть использовано в производстве гибридных микросистем анализа слабого магнитного поля. Сущность изобретения: способ изготовления микросистемы контроля трех компонент вектора магнитной индукции включает формирование на поверхности кремниевой пластины первого диэлектрического слоя из нитрида кремния с подслоем оксида кремния, формирование металлизированной разводки и контактных площадок, нанесение второго диэлектрического слоя из диоксида кремния, формирование окон во втором диэлектрическом слое до слоя металла, формирование окна в первом диэлектрическом слое в центральной области пластины до кремния, сухое анизотропное травление кремния в указанном окне на глубину не менее половины толщины кремниевой пластины, размещение на кремниевой пластине путем приклеивания двух кристаллов магниторезистивных преобразователей с осями чувствительности по Х- и Y-направлениям, обратной стороной и торцами вплотную друг к другу, размещение кристалла магниторезистивного преобразователя с чувствительностью по Z-направлению торцом в окно с вытравленным кремнием в центральной области, с примыканием его обратной стороны вплотную к торцам кристаллов, размещение кристалла микросхемы усиления сигнала, разварку контактных площадок, заливку компаундом. Изобретение обеспечивает повышение точности контроля направления вектора магнитной индукции, повышение разрешающей способности и чувствительности, надежности, снижение массогабаритных параметров. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента