|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ СВЧ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ |  |
Номер публикации патента: 2227344 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/338 | | Аналоги изобретения: | HASEGAWA F. et all, IEEE Int. Solid-State Circuits Conf., Dig. Tech Papers, 1978, p.118.SU 1628766 A1, 27.05.1996.SU 1424630 A1, 20.02.2000.SU 1574110 A1, 27.07.1996. |
| Имя заявителя: | Федеральное государственное унитарное предприятие "НИИПП" | | Изобретатели: | Голиков А.В.
Кагадей В.А.
Проскуровский Д.И.
Ромась Л.М.
Широкова Л.С. | | Патентообладатели: | Федеральное государственное унитарное предприятие "НИИПП" |
Реферат | |
Использование: в технологии микроэлектроники при получении дискретных приборов и интегральных схем. В способе изготовления мощных СВЧ полевых транзисторов с барьером Шоттки формируют n+-n структуру GaAs путем ионного легирования полуизолирующей подложки с последующим высокотемпературным отжигом. После высокотемпературного отжига на поверхность структуры наносят диэлектрическую пленку, прозрачную для проникновения водорода, проводят обработку структуры в атомарном водороде при температуре 100-200С
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента