Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП - ТРАНЗИСТОРОВ

Номер публикации патента: 2206141

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2002107349/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L021/336    
Аналоги изобретения: SU 1464797 А1, 20.11.1995. SU 1499614 С, 20.09.1995. RU 2017265 С1, 30.07.1994. US 6127700 А, 03.10.2000. US 5465000 А, 07.11.1995. US 4392893 А, 12.07.1983. 

Имя заявителя: Андреев Владимир Викторович,Столяров Александр Алексеевич 
Изобретатели: Андреев В.В.
Барышев В.Г.
Бондаренко Г.Г.
Масловский В.М.
Столяров А.А.
Ткаченко А.Л.
Улунц Г.А. 
Патентообладатели: Андреев Владимир Викторович
Столяров Александр Алексеевич 

Реферат


Использование: в полупроводниковой технологии для изготовления дискретных МДП-транзисторов и интегральных микросхем. Технический результат изобретения - упрощение способа и повышение точности подгонки порогового напряжения МДП-транзистора. Сущность изобретения: способ включает операции формирования на кремниевой пластине областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирования металлической разводки, определения величины подгонки порогового напряжения Uo и выполняемой затем подгонки


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"