|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КМОП ИС |  |
Номер публикации патента: 2051443 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/8228 | | Аналоги изобретения: | Интегральные схемы на МДП приборах./ Под ред. А.Н.Кармазинского. М.: Мир, 1975, с.193-195. |
| Имя заявителя: | Агрич Юрий Владимирович (RU) | | Изобретатели: | Агрич Юрий Владимирович[RU]
Иванковский Максим Максимович[LV]
Сульжиц Сергей Антонович[LV]
Мухин Алексей Алексеевич[LV] | | Патентообладатели: | Агрич Юрий Владимирович (RU) |
Реферат | |
Использование: способы изготовления КМОП ИС, применяемых в микроэлектронике. Сущность изобретения: на поверхности полупроводниковой подложки первого типа проводимости с карманами второго типа проводимости формируют изолирующий диэлектрик из термической двуокиси кремния, вскрывают одновременно все области истоков, стоков и разделительные области МОП транзисторов обоих типов, выращивают на поверхности открытых областей технологический слой двуокиси кремния толщиной менее 0,3 толщины слоя изолирующе
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента