|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ СВЧ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР СО СТАБИЛИЗИРУЮЩИМИ ЭМИТТЕРНЫМИ РЕЗИСТОРАМИ |  |
Номер публикации патента: 2024994 |  |
| Редакция МПК: | 5 | | Основные коды МПК: | H01L021/66 | | Аналоги изобретения: | 1. Кремниевые планарные транзисторы. Под ред. Федотова Я.А. - М: Советское радио, 1973, с.268. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт электронной техники | | Изобретатели: | Асессоров В.В.
Велигура Г.А.
Гаганов В.В. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт электронной техники |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, технология изготовления мощных СВЧ-транзисторных структур со стабилизирующими эмиттерными резисторами. Сущность изобретения: при изготовлении СВЧ-транзисторных структур со стабилизирующими эмиттерными резисторами в кремниевой подложке последовательно формируют области базы и эмиттера, область эмиттера осуществляют в две стадии, при этом после проведения первой стадии наносят резистивный слой системы ванадий-кремний с содержанием ванадия 15 - 25 атомных процентов до толщины 0,05 - 0,1 мкм, а одновременно с проведением второй стадии создают защитное покрытие резистивного слоя, в потоке газообразного кислорода толщиной 0,02 - 0,022 мкм, формируют топологический рисунок резисторов, удаляют защитное покрытие, наносят многослойную металлизацию, создают контакты к областям базы, эмиттера и эмиттерным резисторам.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента