|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОБКЛАДКИ КОНДЕНСАТОРА ИЗ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 1829776 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/308 | | Аналоги изобретения: | Kusters K.H. et all. Stacked Capacitor in trench Cell for 16M - DRAM. ESSNC' 89: 14th Eur. Solid State Device Res. Conf. Berlin. 11-14 sept. 1989 - Berlin etc. p. 407-410. Черняев В.И. Технология производства интегральных схем и микропроцессоров. -М.: Радио и связь, 1987, с. 390. |
| Имя заявителя: | Научно-производственное объединение "Интеграл" | | Изобретатели: | Турцевич А.С.
Красницкий В.Я.
Довнар Н.А.
Баянов А.С.
Наливайко О.Ю.
Родин |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, изготовление полупроводниковых схем памяти на МДП-танзисторах. Цель изобретения - увеличение эффективности поверхности обкладки без увеличения ее размеров в плане за счет развития рельефа поверхности. Сущность изобретения: для создания обкладки конденсатора из поликристаллического кремния на поверхности полупроводниковой подложки создают диэлектрический слой, наносят защитное покрытие, формируют в защитном покрытии и диэлектрическом слое контактное окно к подложке, осаждают слой поликристаллического кремния, формируют обкладку травлением осажденного слоя через фоторезистивную маску, наносят вспомогательный слой, вскрывают в нем контактное окно с вертикальными стенками к обкладке, после этого осаждают дополнительный слой поликристаллического кремния, затем на поверхности обкладки в контактном окне во вспомогательном слое безмасочным анизотропным плазменным травлением дополнительного слоя создают пристеночные выступы и удаляют с поверхности пластины вспомогательный слой. 5 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента