На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНОГО КРЕМНИЕВОГО ТРАНЗИСТОРА

Номер публикации патента: 1828719

Вид документа:  A3  Страна публикации:  SU  Рег. номер заявки:  4927446		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: микроэлектроника, изготовление мощных кремниевых транзисторов с высоким коэффициентом усиления по току и низким уровнем шума. Сущность изобретения: для изготовления мощного кремниевого транзистора с высоким коэффициентом усиления по току и низким уровнем шума, имеющего компенсированную эмиттерную область с пониженной плотностью центров рекомбинации, степенью легирования Ns<<3<195>1020 ат/см3, формируют в течение 1-40 ч при T=1100-1250<198>С в высокоомном слое исходной полупроводниковой структуры первого типа проводимости базовую область второго типа проводимости глубиной 5-45 мкм, проводят предварительную диффузию эмиттерной примеси первого типа проводимости в течение 5-100 мин при Т=800-1000<198>С и затем проводят совместную разгонку указанных базовой и эмиттерной примесей в течение 1-20 ч при T=1100-1250<198>С. в результате которой эмиттерная область первого типа проводимости, образованная эмиттером, имеющим атомный радиус, меньший или больший, чем атомный радиус кремния, компенсируется на глубину h элементом, имеющим атомный радиус, больший или соответственно меньший, чем атомный радиус кремния. Новым в способе является то, что компенсирующий элемент имеет второй тип проводимости, противоположный типу проводимости эмиттерной области, а процесс компенсации указанной эмиттерной области совмещен с процессом подлегирования приповерхностной части базовой области и проводится в течение 0,1-20 ч при T=1100-1250<198>С, причем выполняется соотношение 0,4H<

Вернуться к списку