Lang D.V. Deep level transient spectroscopy: a new method to characterize traps in semiconductors // J. Appl. Phys. 1974, v.45, p.3023-3032. RU 2101721 C1, 10.01.1998. JP 2002-033367 A, 31.01.2002. SU 1608551 A1, 23.11.1990. US 7427754 B2, 23.09.2008.
Имя заявителя:
Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Рязанский государственный радиотехнический университет (RU)
Изобретатели:
Вишняков Николай Владимирович (RU) Литвинов Владимир Георгиевич (RU) Милованова Оксана Александровна (RU) Рыбин Николай Борисович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Рязанский государственный радиотехнический университет (RU)
Реферат
Изобретение относится к области электронной техники, микро- и наноэлектроники и может быть использовано для исследования энергетического спектра электронных состояний, носителей заряда в отдельно взятых наноструктурах или нанообъектах, локального исследования дефектов с глубокими уровнями в полупроводниковых материалах. Способ исследования энергетического спектра электронных состояний в образце заключается в определении температурной зависимости релаксации электрофизических величин, например тока, проходящего через образец, при внешних воздействиях, обнаружении исследуемого объекта путем сканирования в зондовом микроскопе, например атомно-силовом, и формировании барьерного контакта к исследуемому объекту зондом. Устройство, реализующее способ, содержит генератор прямоугольных импульсов, подсоединенный к устройству релаксационной спектроскопии глубоких уровней, подключенному к микроскопу, например атомно-силовому, с возможностью изменения температуры исследуемого образца. Технический результат - обеспечение возможности локального исследования энергетического спектра электронных состояний в наноструктурах. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента