Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

В данном разделе представлены Рефераты российских патентных документов.

Здесь Вы можете провести патентный анализ, а также приобрести полный комплект документов по патенту. Стоимость 1 патента — 150 руб. (НДС не облагается). Поиск информации осуществляется посредством определения соответствующих критериев поиска в форме "Поиск патентов"

Патенты, представленные в данном разделе, классифицированы с использованием классификатора МПК (Международный патентный классификатор). Подробную информацию о классификаторе смотрите здесь.

Вы можете двигаться по "дереву" классификатора, а также осуществлять поиск по классификатору, вводя условие поиска в форму "Поиск в МПК".




Капустинская Наталья - менеджер, тел. (3812) 31-17-14 E-mail: adm311714@yandex.ru


 МПК » H » H01 » H01L » H01L029/00
Поиск в МПК:   
Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них (31/00-47/00, 51/05 имеют преимущество; конструктивные элементы иные чем полупроводниковые приборы или электроды для них 23/00; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированные на одной общей подложке или внутри нее, 27/00)[2,6]
Всего позиций: 365        [1-50] [51-100] [101-150] [151-200] [201-250] [251-300] след»
Публикация Название
2362236МАТРИЦА ИНТЕГРАЛЬНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ДАВЛЕНИЯ
2447541МДП - ВАРИКАП
1795837МДП - КОНДЕНСАТОР
1809707МДП - ТРАНЗИСТОР
2170993МИКРОМЕХАНИЧЕСКИЙ ПРИБОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ
2362133МИКРОЭЛЕКТРОННЫЙ ДАТЧИК АБСОЛЮТНОГО ДАВЛЕНИЯ И ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ АБСОЛЮТНОГО ДАВЛЕНИЯ
2357323МНОГОКАНАЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО СЧИТЫВАНИЯ ДЛЯ ФОТОПРИЕМНИКОВ
2457577МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНЫЙ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЙ МОДУЛЬ
2288302МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ АЛМАЗ, ПОЛУЧЕННЫЙ МЕТОДОМ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ, И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ
2197769МОП - ТРАНЗИСТОР С ВЫСОКИМ БЫСТРОДЕЙСТВИЕМ И С ВЫСОКОЙ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТЬЮ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ
2231865МОЩНАЯ ВЧ И СВЧ БИПОЛЯРНАЯ ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА
1766220МОЩНАЯ ВЧ И СВЧ ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА
2403651МОЩНАЯ ВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА
2238604МОЩНАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СТРУКТУРА
2457576МОЩНАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СТРУКТУРА
2464669МОЩНАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СТРУКТУРА
2253923МОЩНАЯ СВЧ ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА
2216069МОЩНАЯ СВЧ - ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА
2216070МОЩНАЯ СВЧ - ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА
2216071МОЩНАЯ СВЧ - ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА
2229184МОЩНАЯ СВЧ - ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА
2229183МОЩНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ВЧ - И СВЧ - ТРАНЗИСТОР
2251175МОЩНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ СВЧ - ТРАНЗИСТОР
2308120МОЩНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ СВЧ - ТРАНЗИСТОР (ВАРИАНТЫ)
1827149МОЩНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР
Всего позиций: 365        [1-50] [51-100] [101-150] [151-200] [201-250] [251-300] след»
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"