|
В данном разделе представлены Рефераты российских патентных документов.
Здесь Вы можете провести патентный анализ, а также приобрести полный комплект документов по патенту. Стоимость 1 патента — 150 руб. (НДС не облагается).
Поиск информации осуществляется посредством определения соответствующих критериев поиска в форме "Поиск патентов"
Патенты, представленные в данном разделе, классифицированы с использованием классификатора МПК (Международный патентный классификатор). Подробную информацию о классификаторе смотрите здесь.
Вы можете двигаться по "дереву" классификатора, а также осуществлять поиск по классификатору, вводя условие поиска в форму "Поиск в МПК".
Капустинская Наталья - менеджер, тел. (3812) 31-17-14 E-mail: adm311714@yandex.ru
| МПК » H » H01 » H01L » H01L021/00 |
|
|
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей [2,8]
|
| Код и наименование раздела справочника МПК |
Патенты |
| H01L021/335 .....полевых транзисторов [5] | [13] | | H01L021/336 ......с изолированным затвором [5] | [13] | | H01L021/338 ......с затвором в виде барьера Шотки [5] | [8] | | H01L021/34 ...изготовление приборов на полупроводниковых подложках с примесями или без них, например с примесями легирующих материалов, кроме приборов, предусмотренных в 21/06,21/16 и 21/18[2] | [5] | | H01L021/36 ....нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание [2] | [4] | | H01L021/363 .....с использованием физического осаждения, например вакуумного осаждения или напыления [2] | [6] | | H01L021/365 .....с использованием разложения газовых смесей с выходом твердого конденсата, т.е. химическое осаждение [2] | [5] | | H01L021/385 .....диффузия в твердую фазу из твердой фазы, или обратная диффузия, например процесс добавления присадок к окисному слою [2] | [1] | | H01L021/42 ....воздействие излучением [2] | [2] | | H01L021/425 ......с внедрением ионов [2] | [4] | | H01L021/428 ......с использованием электромагнитного излучения, например лазерное излучение [2] | [2] | | H01L021/44 ....изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов или устройств, не предусмотренных в 21/36-21/428[2] | [3] | | H01L021/443 ......из газа или пара, например конденсацией [2] | [1] | | H01L021/445 ......из жидкости, например электролитическим осаждением [2] | [2] | | H01L021/46 ....обработка полупроводниковых подложек с использованием способов, не предусмотренных в 21/36-21/428(изготовление электродов на них 21/44)[2] | [2] | | H01L021/461 .....для изменения формы или поверхностных физических характеристик, например травлением, полированием или резкой [2] | [2] | | H01L021/465 ......обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для формования диэлектрического слоя 21/469)[2] | [5] | | H01L021/47 .......из органических веществ, например слоев фоторезиста (21/475,21/4757 имеют преимущество)[2,5] | [1] | | H01L021/471 .......из неорганических веществ (21/475, 21/4757 имеют преимущество)[2,5] | [1] | | H01L021/477 .....термическая обработка для модификации свойств полупроводниковых подложек, например отжигом, спеканием (21/36-21/449 и 21/461-21/475 имеют преимущество)[2] | [5] | | H01L021/48 ...изготовление или обработка частей, например корпусов, до сборки прибора, с использованием способов, не предусмотренных ни одной из подгрупп 21/06-21/326[2] | [5] | | H01L021/50 ...сборка полупроводниковых приборов с использованием способов или устройств, не предусмотренных ни одной из подгрупп 21/06-21/326[2] | [7] | | H01L021/52 ....монтаж полупроводниковой подложки в корпусе [2] | [7] | | H01L021/54 ....заполнение корпуса, например газом [2] | [1] |
|
Поиск патентов