|
В данном разделе представлены Рефераты российских патентных документов.
Здесь Вы можете провести патентный анализ, а также приобрести полный комплект документов по патенту. Стоимость 1 патента — 150 руб. (НДС не облагается).
Поиск информации осуществляется посредством определения соответствующих критериев поиска в форме "Поиск патентов"
Патенты, представленные в данном разделе, классифицированы с использованием классификатора МПК (Международный патентный классификатор). Подробную информацию о классификаторе смотрите здесь.
Вы можете двигаться по "дереву" классификатора, а также осуществлять поиск по классификатору, вводя условие поиска в форму "Поиск в МПК".
Капустинская Наталья - менеджер, тел. (3812) 31-17-14 E-mail: adm311714@yandex.ru
| МПК » H » H01 » H01L » H01L021/00 |
|
|
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей [2,8]
|
| Код и наименование раздела справочника МПК |
Патенты |
| H01L021/288 ......из жидкости, например способом электролитического осаждения [2] | [4] | | H01L021/30 ....обработка полупроводников с использованием способов и устройств, не предусмотренных в 21/20-21/26(изготовление электродов на полупроводниковых телах 21/28)[2] | [10] | | H01L021/301 .....для подразделения полупроводниковой подложки на отдельные части, например образование перегородок (резка 21/304)[6] | [1] | | H01L021/302 .....для изменения физических свойств или формы их поверхностей, например травление, полирование, резка [2] | [24] | | H01L021/304 ......механическая обработка, например шлифование, полирование, резка [2] | [29] | | H01L021/306 ......обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для образования диэлектрических пленок 21/31; последующая обработка диэлектрических пленок 21/3105)[2] | [79] | | H01L021/3063 .......электролитическое травление [6] | [6] | | H01L021/3065 .......плазменное травление; ионное травление [6] | [31] | | H01L021/308 .......с использованием масок (21/3063,21/3065 имеют преимущество)[2,6] | [18] | | H01L021/31 .....с целью образования диэлектрических слоев на полупроводниках, например для маскирования или с использованием фотолитографической технологии ( герметизирующих слоев 21/56); последующая обработка этих слоев; выбор материалов для этих слоев [2,5] | [7] | | H01L021/312 ......из органических веществ, например слоев фоторезиста (21/3105,21/32 имеют преимущество)[2,5] | [23] | | H01L021/316 .......из оксидов, стекловидных оксидов или стекла на основе оксидов [2] | [27] | | H01L021/318 .......из нитридов [2] | [5] | | H01L021/3205 ......осаждение недиэлектрических слоев, например электропроводных или резистивных, на диэлектрические слои; последующая обработка этих слоев (изготовление электродов 21/28)[5] | [3] | | H01L021/321 .......последующая обработка [5] | [3] | | H01L021/3213 ........физическое или химическое травление слоев, например для образования формы слоя из предварительно нанесенного слоя, образующего фактор экстенсивности [6] | [1] | | H01L021/322 .....для модификации их характеристик, например для образования внутренних дефектов кристаллической решетки [2] | [22] | | H01L021/324 .....термическая обработка для модификации характеристик полупроводниковых подложек, например отжиг или спекание (21/20-21/288 и 21/302-21/322 имеют преимущество)[2] | [18] | | H01L021/328 ....многоступенчатые процессы для изготовления биполярных приборов, например диодов, транзисторов, тиристоров [5] | [2] | | H01L021/329 .....приборов, имеющих один или два электрода, например диодов [5] | [4] | | H01L021/331 ......транзисторов [5] | [16] | | H01L021/332 ......тиристоров [5] | [3] |
|
Поиск патентов